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展至科技氮化铝陶瓷基板解决了深紫外LED散热问题?

 时间:2021-11-19     浏览:27     分享

  如今随着国内外LED行业上不断高效率、高密度、大功率等方向发展,也是整体国内LED突飞猛进的发展市场。如功率也是越来越大,开发性能的散热材料已经成为解决LED的散热问题。

 

  UV LED光源基本是通过陶瓷技术中,采用低热阻的氮化铝陶瓷基板实现了高散热性,因为基于高散热性实现了LED元件的高密度安装,才使得UV LED光源可以在高功率输出光线。为了使UV LED结温保持在较低温度下,必须要采用高热导率、低热阻的散热基板材料和合理的封装工艺,才能降低UV LED总体的封装热阻。


  如今企业对产品的制作工艺已经非常成熟,但是一般采用干压和等静压成型,经高温烧结后而成的产品,工艺精良、质量稳定、机械强度高。那么最后如何去解决深紫外LED散热问题呢?

  深紫外UV LED在杀菌消毒、生化检测、医疗健康等领域上广泛使用价值,主要是在杀菌消毒领域上,深紫外UV LED主要是利用高能量紫外线照射微生物并且破坏核酸结构,甚至还能达到微生物灭活功能。最近疫情下深紫外UV LED消毒是一种有效消灭新冠病毒的方法,也是被广泛公共场所、交通工具、个人防护等领域使用。


  深紫外UV LED具有很多优势并且可被市场认可和采纳,但是也存在很多问题甚至影响使用,比如封装材料老化情况严重、电光转化效率极低、发热严重、价格昂贵等。

  需要了解散热问题首先要知道,深紫外中散热是跟光提取效率离不开关系,因为在界面折射率突变等问题。才导致大部分深紫外UV LED光无法从芯片中逃逸出来,是一部分光被困在封装腔体内。还有深紫外UV LED芯片的侧壁光量较高,在传统封装结构上是无法将深紫外UV LED侧壁光传导出来,才会导致光量降低。


  由于深紫外UV LED光电转化效率低,所以才导致大部分热量还无法从表面进行散热,进一步加快对芯片的伤害。如果芯片结温较高,容易导致芯片性能降低,甚至还会失效。

  现阶段深紫外UV LED有效散热的唯一途径就是氮化铝陶瓷基板的导热率高,比氧化铝基板差不多高10,而氮化铝陶瓷基板还有非常优良的绝缘性,热膨胀系数与芯片材料相匹配,能满足深紫外UV LED高散热的需求。而且陶瓷材料具有优秀的抗紫外性能,抗老化表现优秀,能有进一步延长深紫UV LED的使用周期。


  以上就是深紫外UV LED散热问题解答,作为一种新型紫外光源具有广泛的市场应用价值,所以氮化铝陶瓷基板在这领域上发挥很大作用。